Radiation stability of SiC and SiC based detectors against high energy heavy ion irradiation effects. High energy heavy ion irradiation effects in SiC and SiC based detectors
Projekt
číslo
04-5-1076
trvání
1.1.2016 - 31.12.2016
řešitel
Foral Štěpán
| Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brně
|
Skuratov V.A.
| SÚJV
|